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科锐SiC基MOSFET PK 传统Si基IGBT

科锐之光

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科锐 SiC MOSFET Si IGBT

视频介绍: 科锐(Nasdaq: CREE)SiC基MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)技术获得显著提升,能够在1700V电压下工作,开关损耗仅为采用传统Si基IGBT(绝缘栅双极型晶体管)的1/6,在实现高性能的同时还能减少配套零部件的物料成本,从而在系统层面显著节约开支,可完全颠覆电源转换领域现有规则,开启更多令人振奋的设计选项。

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